STARPOWER SEMICONDUCTOR in der Kategorie IGBT-Module
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
Kennzeichnung des Herstellers: GD15PJY120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 39.91 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 47.49 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 35.24 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 41.93 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 31.70 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 37.73 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 29.54 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 35.15 USD
24 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 40A
Kennzeichnung des Herstellers: GD40PIY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 79.93 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 95.12 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 70.70 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 84.13 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 63.51 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 75.58 USD
10 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 34.55 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 41.11 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 30.56 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 36.37 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 27.48 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 32.70 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 25.66 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 30.53 USD
19 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A
Kennzeichnung des Herstellers: GD35PJY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 57.35 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 68.25 USD
Nettopreis für Mengen von 4 st - 50.63 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 60.25 USD
Nettopreis für Mengen von 16 st - 45.50 USDBruttopreis für Mengen von 16 st - 54.14 USD
11 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
Kennzeichnung des Herstellers: GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 36.83 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 43.83 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 32.61 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 38.81 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 29.31 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 34.87 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 27.26 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 32.43 USD
16 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJY120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 34.89 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 41.52 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 30.79 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 36.64 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 27.71 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 32.97 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 25.89 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 30.80 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V
Kennzeichnung des Herstellers: GD400HFX65C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 92.93 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 110.58 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1700V
Kennzeichnung des Herstellers: GD450HFX170C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 186.99 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 222.52 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 10)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A
Kennzeichnung des Herstellers: GD35PJY120F5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 25 st - 44.13 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 52.51 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 25)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V
Kennzeichnung des Herstellers: GD450HFX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 109.57 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 130.39 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 10)
Modul: IGBT; einzelner Transistor; einzelner Transistor; Ic: 400A
Kennzeichnung des Herstellers: GD400SGX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 104.79 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 124.70 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1700V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 133.40 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 158.75 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A
Kennzeichnung des Herstellers: GD50FFY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 86.08 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 102.44 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 76.05 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 90.50 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 68.30 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 81.28 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; einzelner Transistor; einzelner Transistor; Ic: 300A
Kennzeichnung des Herstellers: GD300SGY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 70.47 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 83.85 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 97.03 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 115.47 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 118.58 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 141.11 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; einzelner Transistor; einzelner Transistor; Ic: 100A
Kennzeichnung des Herstellers: GD100SGY120D6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 25.55 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 30.40 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 22.58 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 26.87 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 20.30 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 24.16 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 31.59 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 37.59 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 27.94 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 33.25 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 25.08 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 29.85 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 23.38 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 27.82 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD400HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 124.28 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 147.89 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD800HFY120C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 8 st - 368.36 USDBruttopreis für Mengen von 8 st - 438.34 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 8)